高溫試驗(yàn)是晶振在高溫條件下工作一段時(shí)間后，評(píng)定高溫對(duì)晶振的電氣和機(jī)械性能的影響；或者長(zhǎng)時(shí)間高溫存儲(chǔ)(不帶電)后，評(píng)定晶振的質(zhì)量穩(wěn)定性，可參照標(biāo)準(zhǔn)GJB 360B.108。低溫試驗(yàn)是長(zhǎng)時(shí)間低溫存儲(chǔ)(不帶電)后，評(píng)定晶振的質(zhì)量穩(wěn)定性，以及檢測(cè)封裝中足以對(duì)晶振產(chǎn)生不良影響的殘存濕氣，即通常的露點(diǎn)測(cè)試，可參照標(biāo)準(zhǔn)GJB 548B.1013.1。

高低溫儲(chǔ)存試驗(yàn)(High/Low Temperature Storage)暴露的故障來(lái)源于元器件表面和內(nèi)部的物理和化學(xué)變化，例如：密封問(wèn)題，材料熱脹冷縮問(wèn)題，電性能產(chǎn)生的變化等。

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